光刻胶国产化正在增强中国半导体产业的供应链韧性、技术自主性和成本竞争力。作为将电路图案“刻”到芯片上的核心材料，光刻胶曾长期被国外巨头垄断，而本土企业的突破正悄然改变游戏规则。

 一 筑牢供应链安全屏障

高端光刻胶市场长期被日本JSR、信越化学等企业垄断，占据全球80%以上份额。这种高度集中的供应格局带来了现实风险。2025年底，日本企业悄然收紧对华高端光刻胶出口，审批周期拉长，部分订单暂停。

由于高端光刻胶保质期仅3个月，物流与审批的双重限制让晶圆厂面临“断供即停摆”的压力。

正是这种危机感，倒逼国产替代加速。国内企业走了一条“先中低端、后高端”的路径，如今已形成阶梯式突破：

• 成熟制程（G/I线）：国产化率已超过95%，基本实现自给。
• 中端制程（KrF， 28nm及以上）：国产化进程迅猛。彤程新材的KrF光刻胶国内市占率已超40%，其产品在长江存储3D NAND工艺中的良率达到98.7%。2026年，国内KrF光刻胶产能预计翻倍，自给率接近五成。

图片由AI生成

• 高端制程（ArF， 7-28nm）：实现从0到1的质变。南大光电是国内唯一实现ArF光刻胶规模化量产的企业，产品良率达99.7%，缺陷密度为0.03个/cm²，已通过中芯国际、华为海思验证。

这些进展意味着，当外部供应波动时，国内晶圆厂有了关键的“备份”选择，供应链的主动权正在增加。

 二 推动技术自主与成本优化

国产化不仅是为了“有没有”，更关乎“好不好”。技术上的突破是循序渐进的。针对7nm以下先进制程的EUV光刻胶已进入预研阶段，但受限于EUV光源和光刻机设备短缺，实际验证进度缓慢。更现实的成果体现在对现有制程的支撑上。

例如，部分国产KrF光刻胶已通过中芯国际28nm工艺验证，武汉太紫微的T150A KrF光刻胶极限分辨率达120纳米，可通过多重曝光延伸至14nm制程。

比技术突破更直接的是经济效益。国产光刻胶带来了显著的成本优势：

• 价格更低：南大光电的ArF光刻胶价格比进口产品低30%。
• 交付更快：交付周期从国际厂商的6个月大幅缩短至1个月。
• 上游材料自主：企业通过自研降低原材料成本，例如彤程新材自产KrF光刻胶用PHS树脂，成本较进口降低35%。

更重要的是，国产化推动了产业链的深度协同。光刻胶厂商与国产光刻机制造商、晶圆厂建立了联合验证平台。例如，上海新阳与上海微电子联合开发光刻机适配参数，验证周期较国际厂商缩短6个月。这种“材料-设备-工艺”的协同优化，正在构建更健康、更自主的产业生态。

当然，挑战依然存在，尤其是在EUV光刻胶和部分高端原材料领域。但国产光刻胶从“测试机会为0”到百吨订单的跨越，已经为中国半导体产业的自主之路铺下了一块坚实的基石。

这场国产化浪潮中，产学研用的深度融合、上下游企业的协同发力至关重要，而2026深圳国际胶粘剂及化工原料 正是搭建这一桥梁的核心平台。作为立足亚洲、辐射全球的专业展会，本届展会（2026年10月27-29日，深圳国际会展中心·宝安新馆）将聚焦半导体光刻胶等多种胶粘剂展品，汇聚国内外光刻胶及相关化工原料头部企业，助力本土光刻胶企业拓宽市场渠道、对接半导体终端需求，加速核心技术产业化落地，进一步夯实中国半导体产业供应链韧性。依托亚洲材料周和ITWA亚洲工业科技展旗下九展联动优势，展会还将联动电子、新能源、汽车等多领域展会资源，打通光刻胶应用全场景链路，为行业同仁提供洞察趋势、链接商机、共促发展的核心契机，见证中国光刻胶产业崛起，共筑半导体产业自主可控新格局。

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来源：热点解读